ePoP-Memory vereint DRAM, eMMC-Flash und Controller in einem Chip-Gehäuse (Bild: Samsung)Für die nächste Generation von Highend-Smartphones hat Samsung Electronics eine Neuheit parat: Integriert werden in einem einzigen Chipgehäuse die drei Technologien DRAM, eMMC-Flash und ein Controller. Konkret sind es 3 GByte LPDDR3-DRAM und 32 GByte eMMC-Flash.

Eingebaut wird das alles erstmals in ein sogenanntes ePoP-Memory-Gehäuse (Embedded Package on Package). Der Baustein, der auch als »Wearable Memory« bezeichnet wird, weist eine Höhe von nur 1,4 mm auf, und kann direkt auf den Mobile-Prozessor gestapelt werden.

ePoP-Chip benötigt 40 Prozent weniger Platzbedarf

Bisherige Lösungen benötigten dazu zwei Chips. Die Einsparungen beim Platzbedarf beziffert Samsung auf rund 40 Prozent. Das 3-GByte-LPDDR3-Mobile-DRAM im ePoP arbeitet mit einer I/O-Datenübertragungsrate von 1,866 Mbit/s und unterstützt eine I/O-Bandbreite von 64 Bit.

Samsung betont, dass man derzeit mit der Massenproduktion der Neuheit beginne.