Samsung bringt SSD in der 10-nm-Klasse für Rechenzentren
SSD-Modell SM1623 mit Kapazitäten von bis zu 800 GByte verfügbar (Bild: Samsung)Die Technologie der 2012 von Samsung vorgestellten Rechenzentrums-SSD SM1625 ist mittlerweile fortgeschritten. Nach der 20-nm-Klasse ist jetzt die 10-nm-Klasse frü den breiteren Markt einsatzfähig, und so kündigt Samsung nun mit der SM1623 das Nachfolgemodell an. (Der verwendet den Begriff »10-nanometer class« in diesem Zusammenhang für eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20 Nanometern.)
Die neue SSD verfügt über eine 6-Gbit/s-SAS-Schnittstelle, womit sie sich besonders für Enterprise-Storage-Anwendungen eignet. Die Kapazitäten reichen, genauso wie beim Vorgängermodell, bis zu 800 GByte.
Lese- und Schreib-Geschwindigkeiten von bis zu 120.000 bzw. 26.000 IOPS
Durch die neuen MLC-NAND-Flash-Chips ergeben sich aber andere Durchsatzraten. Samung gibt hierbei wahlfreie Lese- und Schreib-Geschwindigkeiten von bis zu 120.000 bzw. 26.000 IOPS an, sowie sequenzielle Lese- und Schreib-Geschwindigkeiten von bis zu 950 bzw. 520 MByte/s. Außerdem sei auch die Produktivität um über 30 Prozent erhöht worden, wodurch nun mehr als ein »Drive Write per Day« (DWPD) unterstützt werde.
Die neue SSD soll ab sofort verfügbar sein. Über Preise und Garantiezeiten machte Samsung keine Angaben.