Samsung Electronics beginnt mit der Fertigung der ersten dreidimensionalen Vertical NAND Flash-Memorys mit 48 vertikal gestapelten Lagen. Die 3D V-NANDs sind mit einer Kapazität von 256 Gbit für den Einsatz in SSDs konzipiert. Damit verdoppelt der Hersteller die Speicherkapazität herkömmlicher 128-Gbit-NAND-Flash-Chips (32 Lagen). Mit den neuen Chips lassen sich nun 32 GByte auf einem »Die« unterbringen. Samsung sieht hierin eine gute Lösung für Multi-TByte-SSDs.

Im neuen V-NAND-Chip nutzt jede Zelle die gleiche 3D CTF-Struktur (Charge Trap Flash). Die Zellen-Arrays sind vertikal gestapelt und bilden eine 48-stöckige »Masse«, die elektrisch über etwa 1,8 Milliarde Channel-Löcher durch die Arrays verbunden sind. Insgesamt enthält jeder Chip über 85,3 Milliarden Zellen, wovon jede drei Bit speichern kann.

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Laut Samsung benötigt ein 48-lagiger V-NAND-Chip (3 Bit MLC) 30 Prozent weniger Energie beim Speichern des gleichen Datenvolumens als ein 32-lagiger Chip. In der Fertigung soll der neue Chip gegenüber seinem Vorgänger eine rund 40 Prozent höhere Produktivität erreichen. Dies hilft die Kosten zu reduzieren, da zudem vor allem bereits vorhandene Gerätschaften genutzt werden können.

Eigenen Angaben zufolge produziert Samsung nun den neuen V-NAND-Speicher für den Rest des Jahres 2015. Ziel ist es, SSDs mit TByte-Kapazitäten schneller im Markt zu etablieren. Hier stellt der Hersteller eine baldige Einführung einer 2-TByte-SSD in Aussicht. Neben der Consumer-Sparte sollen aber auch High-Density SSDs für die Enterprise- und Data-Center-Storage-Märkte mit PCIe NVMe und SAS-Schnittstellen forciert werden.